漢鐘真空泵在半導體去膠機應用

半導體去膠機是在經過刻蝕或者離子注入之后，已經不再需要光刻膠作為保護層，因此可以將光刻膠從硅片的表面除去，這一步驟簡稱為去膠。在集成電路工藝中，去膠的方法包括濕法去膠和干法去膠，在濕法去膠中又分為有機溶劑去膠和無機溶劑去膠。

干法去膠則是利用等離子體將光刻膠去除。以使用氧等離子為例，硅片上的光刻膠通過在氧等離子體中發生化學反應，生成的氣態的CO，ＣＯ2和Ｈ2O可以由真空系統抽走，真空為無油螺桿真空泵，極限真空到0.1pa.相對于濕法去膠，干法去膠的效果更好，但是由于干法去膠存在反應殘留物的玷污問題，因此干法去膠與濕法去膠經常搭配使用。

漢鐘IPH系列真空泵，極限真空泵0.1pa，體積小，功率小，抽數大。是半導體去膠機完美選擇。